晶體管類型:NPN 集射極擊穿電壓(Vceo):50V 集電極電流(Ic):3A 功率(Pd):1.4W 集電極截止電流(Icbo):100nA 集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):370mV@3A,300mA 直流電流增益(hFE@Ic,Vce):300@1A,2V 特征頻率(fT):100MHz 工作溫度:+150℃@(Tj)
晶體管類型:NPN 集射極擊穿電壓(Vceo):50V 集電極電流(Ic):3A 功率(Pd):1.4W 集電極截止電流(Icbo):100nA 集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):370mV@3A,300mA 直流電流增益(hFE@Ic,Vce):300@1A,2V 特征頻率(fT):100MHz 工作溫度:+150℃@(Tj)
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