MMBT4403LT1G
晶體管類型：PNP 集射極擊穿電壓(Vceo)：40V 集電極電流(Ic)：600mA 功率(Pd)：225mW 集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib)：750mV@500mA,50mA 直流電流增益(hFE@Ic,Vce)：100@150mA,2V 特征頻率(fT)：200MHz 工作溫度：-55℃~+150℃@(Tj) PNP,Vceo=-40V,Ic=-600mA
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晶體管類型：PNP 集射極擊穿電壓(Vceo)：40V 集電極電流(Ic)：600mA 功率(Pd)：225mW 集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib)：750mV@500mA,50mA 直流電流增益(hFE@Ic,Vce)：100@150mA,2V 特征頻率(fT)：200MHz 工作溫度：-55℃~+150℃@(Tj) PNP,Vceo=-40V,Ic=-600mA
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